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絕緣子鹽密度測(cè)試儀廠家詮釋絕緣子試驗(yàn)相關(guān)名詞術(shù)語定義
絕緣子試驗(yàn)相關(guān)名詞術(shù)語定義：
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。
注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為最高相電壓）之比，mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）
人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm²。
6、不溶物密度（簡(jiǎn)稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm²。
7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity（SES）
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity（SPS）
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。
信息來源：www.jhyzan.com 信息整理：揚(yáng)州拓普電氣科技有限公司生技部
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。
注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為最高相電壓）之比，mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）
人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm²。
6、不溶物密度（簡(jiǎn)稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm²。
7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity（SES）
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity（SPS）
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。
信息來源：www.jhyzan.com 信息整理：揚(yáng)州拓普電氣科技有限公司生技部
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